Avnet Silica Techday: SiC und GaN Technologien in der Elektromobilität und dem industriellen Umfeld

25 Apr 2024 - 08 May 2024

Germany, multiple locations

Entdecken Sie die neuesten Entwicklungen in den Bereichen Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Diese Wide-Bandgap-Halbleiter spielen eine entscheidende Rolle in der Elektromobilität und bieten auch im industriellen Umfeld zahlreiche Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium-Halbleitern. 

Themen

• SiC-Produktion und Qualität:
  • Erfahren Sie mehr über die Herstellung von SiC-Halbleitern und deren Qualitätsmerkmale.
  • Diskussion über die Vorteile von SiC im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Halbleitern.
• Kühltechniken für SiC-Gehäuse mit Top-Side-Kühlung:
  • Untersuchung verschiedener Kühlmethoden für SiC-Bauelemente.
  • Praktische Ansätze zur effizienten Kühlung von SiC-Komponenten.
• Gate-Driving-Technologies für SiC:
  • Wie werden SiC-Transistoren angesteuert?
  • Optimale Gate-Driving-Strategien für SiC-Halbleiter.
• Tiefere Einblicke in GaN-Technologie:
  • GaN als Wide-Bandgap-Halbleiter für Hochleistungsanwendungen.
  • Vergleich von GaN mit SiC und Silizium.
• Entscheidungshilfe für die Auswahl von Technologien in der Leistungselektronik:
  • Wann sollte man Si, SiC oder GaN wählen? Ein Leitfaden für die richtige Auswahl.
  • Anwendungsbeispiele und Empfehlungen für den Einsatz in verschiedenen Bereichen.

Veranstaltungsorte und Termine:

• Eschbach - 07.05.2024 (Anmeldeschluss: 26.04.2024)
  Avnet EMG GmbH
  Münstertäler Str. 1
  D-79427 Eschbach
• Leinfelden-Echterdingen - 08.05.2024 (Anmeldeschluss: 26.04.2024)
  Avnet EMG GmbH
  Humboldtstr. 35
  D-70771 Leinfelden-Echterdingen

Zeitlicher Rahmen:

• Registrierung und Begrüßung ab 08:30 Uhr
• Start der Veranstaltung: 09:00 Uhr
• Ende der Veranstaltung: 15:00 Uhr

Die Anzahl der Sitze ist limitiert.

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